
【BSC077N12NS3G N沟道场效应管】
价格:1.00
星际金华电子公司库存销售【BSC077N12NS3GN沟道场效应管】******行货价格实在质量保证星际金华***促销【BSC077N12NS3GN沟道场效应管】原厂***实单有接受价可详谈BSC077N12NS3G参数:FET类型N沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)120V电流-连续漏极(Id)(25°C时)13.4A(Ta),98A(Tc)驱动电压(***大***On,***小***On)10V不同Id时的Vgs(th)(***大值)4V@110µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(***大值)88nC@10VVgs(***大值)&plu***n;20V不同Vds时的输入电容(Ciss)(***大值)5700pF@60VFET功能-功率耗散(***大值)139W(Tc)不同Id,Vgs时的***On(***大值))7.7毫欧@50A,10V工作温度-55°C~150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN本公司还提供以下产品:TMP513AIRSARTPS22904YFPRTMP423BIDCNRBSC010N04LSIBSC016N06NSBSC077N12NS3GBSC028N06NSSTD25NF20XC7Z035-1FBG676IXC7A200T-1SBG484ITMS320C6414TBCLZ1MIP4150MDSLJW25Q64FVSFIGSTM8S003F3U6TRUCB1400BEVMGD25Q16CSIGNCV7513BFTR2GESD8472MUT5GBCM82764BKFSBGMFRC63001HNL6207PDW***714LGEFLAGQ210A03ZGT60M324BQ24260YFFRBQ24261YFFRSTK672-432BTLE2301INESTM8L101F2U6ATR6N136MSTW4N150MM3Z39VT1GNCP1607BDR2GTPS78218DRVRACMD-6003BGU8052TQP9418HMC546LP2ELTC6994IS6-1XCVU440-2***A2892EBU30TD2WNVXLM3646YFQR以上型号均为我司热销的产品,因公司产品数量繁多,网上无法一一上传更多产品的有关信息,如没有您所想要的产品信息或者图片,请来电联系公司工作人员,我们将竭诚为您服务!!!星际金华期待广大新老顾客的光临!!!)