5英寸抛光硅片，电阻率均匀，致密性好厚度公差小平整度高等特点多可用于同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体光刻等)