原生多晶硅具有***金属光泽。密度2.32-2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于***和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥***气体在一定条件下反应（氯化），再经冷凝、精馏、还原而得。多晶硅是单质硅的一种形态。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，用于（是）半导体行业和太阳能。从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。多晶硅技术指标：电阻率>100Ω·cm(N型），电阻率>1000Ω·cm(P型）；少子寿命>25μs;C<1ppma.)