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FF400R33KF2C
FF400R33KF2CFF400R33KF2CFF400R33KF2CFF400R33KF2CFF400R33KF2CFF400R33KF2CFF400R33KF2CFF400R33KF2C中文资料功能描述:IGBT模块3300V400ADUALRoHS:否制造商:InfineonTechnologies产品:IGBTSiliconModules配置:Dual集电极—发射极***大电压VCEO:600V集电极—射极饱和电压:1.95V在25C的连续集电极电流:230A栅极—射极漏泄电流:400nA功率耗散:445W***大工作温度:+125C封装/箱体:34MM制造商:Infineon产品种类:IGBT模块RoHS:N产品:IGBTSiliconModules配置:Dual集电极—发射极***大电压VCEO:3300V集电极—射极饱和电压:3.4V在25C的连续集电极电流:660A栅极—射极漏泄电流:400nAPd-功率耗散:4.8kW封装/箱体:IHM***小工作温度:-40C***大工作温度:+125C封装:Tray高度:38mm长度:140mm宽度:130mm商标:InfineonTechnologies安装风格:ChassisMountCNHTS:8541290000HTS代码:8541290095栅极/发射极***大电压:+/-20VMXHTS:85412999产品类型:IGBTModules工厂包装数量:2子类别:IGBTsTARIC:8541290000零件号别名:FF400R33KF2CNOSA1)