FB15R06KL4FB15R06KL4FB15R06KL4FB15R06KL4FB15R06KL4FB15R06KL4FB15R06KL4FB15R06KL4FB15R06KL4中文资料功能描述:IGBT模块N-CH600V19ARoHS:否制造商:InfineonTechnologies产品:IGBTSiliconModules配置:Dual集电极—发射极***大电压VCEO:600V集电极—射极饱和电压:1.95V在25C的连续集电极电流:230A栅极—射极漏泄电流:400nA功率耗散:445W***大工作温度:+125C封装/箱体:34MMFB15R06KL4_B1FB15R06KL4_B1FB15R06KL4_B1制造商:Infineon产品种类:IGBT模块产品:IGBTSiliconModules配置:Hex集电极—发射极***大电压VCEO:600V在25C的连续集电极电流:19A封装/箱体:EASY2***小工作温度:-40C***大工作温度:+125C高度:17mm长度:55.9mm宽度:45.6mm商标:InfineonTechnologies安装风格:ChassisMountCNHTS:8541290000HTS代码:8541290095栅极/发射极***大电压:+/-20VMXHTS:85412999产品类型:IGBTModules工厂包装数量:20子类别:IGBTsTARIC:8541290000)