FF200R12KT4FF200R12KT4FF200R12KT4FF200R12KT4FF200R12KT4FF200R12KT4FF200R12KT4中文资料功能描述:IGBT模块N-CH1.2KV320ARoHS:否制造商:InfineonTechnologies产品:IGBTSiliconModules配置:Dual集电极—发射极***大电压VCEO:600V集电极—射极饱和电压:1.95V在25C的连续集电极电流:230A栅极—射极漏泄电流:400nA功率耗散:445W***大工作温度:+125C封装/箱体:34MM制造商:Infineon产品种类:IGBT模块RoHS:详细信息产品:IGBTSiliconModules配置:Dual集电极—发射极***大电压VCEO:1200V在25C的连续集电极电流:320A封装/箱体:62mm***小工作温度:-40C***大工作温度:+150C封装:Tray高度:30.5mm长度:106.4mm宽度:61.4mm商标:InfineonTechnologies安装风格:ChassisMountCNHTS:8541290000HTS代码:8541290095栅极/发射极***大电压:+/-20VMXHTS:85412999产品类型:IGBTModules工厂包装数量:10子类别:IGBTsTARIC:8541290000零件号别名:FF200R12KT4单位重量:340g半导体分立半导体晶体管IGBT模块InfineonTechnologiesFF200R12KT4FF200R12KT4FF200R12KT4)