FS200R12PT4FS200R12PT4FS200R12PT4FS200R12PT4FS200R12PT4FS200R12PT4FS200R12PT4FS200R12PT4FS200R12PT4FS200R12PT4FS200R12PT4制造商:Infineon产品种类:IGBT模块RoHS:详细信息产品:IGBTSiliconModules集电极—发射极***大电压VCEO:1200V集电极—射极饱和电压:2.15V在25C的连续集电极电流:280A栅极—射极漏泄电流:400nAPd-功率耗散:1000W***小工作温度:-40C***大工作温度:+150C封装:Tray商标:InfineonTechnologies安装风格:ChassisMount栅极/发射极***大电压:+/-20V产品类型:IGBTModules工厂包装数量:6子类别:IGBTs零件号别名:FS200R12PT4)