一氧化硅化学符号：SiO规格：-300~500目分子量：44.08熔点：1700℃密度：2.1g/cm3折射率(波长/nm)：1.8-1.9(550)1.7(6000)透明波段/nm：500-8000相对介电常数:6损耗因数：0.015-0.02频率/kHz：1-103坩埚：Ta蒸发源方式：Ta、Mo沉积技术：蒸镀溶解于：王水在10-4Torr蒸发温度：850℃薄膜的机械和化学性质：适用电阻蒸发，应用低速率。低压下快速蒸发。应用：保护膜，冷光膜，装饰膜SiO分析报告：元素检测值ppm元素检测值ppm元素检测值ppmIron(Fe)5Copper(Cu)<5Nickel(Ni)<5Chromium(Cr)<20Manganese(Mn)14Aluminium(Al)16Magnesium(Mg)22)