电气特性(Tj=25℃)参数描述Min.Typ.Max.UnitTestConditionV(BR)DSS漏源击穿电压650——VVGS=0V,ID=250µARDS(ON)静态漏源—0.750.85ΩVGS=10V,ID=5.0A**VGS(th)栅极阈值电压2—4VVDS=VGS,ID=250μAIDSS漏电流源——1μAVDS=650V,VGS=0VIGSS门体漏电流——±100nAVDS=0V,VGS=±30VTJ,TSTG操作和储存温度范围-55℃to150℃Max力学数据核心面积；3.993×5.058mm2切屑图门垫大小0.31×0.52(排除划线)隶线尺寸100μm晶圆diameter100mm晶圆厚度230μm平焊位置；90deg粗略估计430源金属化Al,Si,Cu排水金属化V,Ni,Ag推荐d储存在原始容器中，在干燥的氮气中,贮存环境<在23℃±3℃常温6个月>变)