二氧化硅，高纯二氧化硅颗粒，二氧化硅靶，二氧化硅蒸发材料，镀膜专用二氧化硅化学符号：SiO2沸点：2230℃纯度：4N规格：1-4mm,颗粒，靶材分子量：60.08外观：白色熔点：1700℃密度：2.2-2.7g/cm3在10-4Torr真空下蒸发温度为：1025℃透明区/nm：200-8000相对介电常数：3-4击穿电压/V？cm-1：106厚度μm：0.03-0.3沉积技术：反应溅射折射率(波长/nm)：1.46(500)1.445(1600)线膨胀系数/℃-1:5.5×10-7蒸发方式：电子束性能：可用钽舟加热蒸发，也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发，但由电阻加热蒸发会产生分解，由电子束加热蒸发效果很好；不溶于水和酸，但溶于***；其微粒能与熔融碱起作用；应用：二氧化硅用途广泛，主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、绝缘膜、眼镜膜、紫外膜等。)