系统概述交流阻断（或反偏）耐久性试验是在一定温度下，对半导体器件施加阻断（或反偏）电压，按照规定的时间，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm℃）和规定的交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认是否通过，同时获取相关试验数据。该系统符合MIL-STD-750DMETHOD-1038.3、GJB128、JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置，作交流阻断（或反偏）耐久性/筛选试验。能满足IGBT进行高温反偏电耐久性试验、高温漏电流测试（HTIR）和老炼筛选。系统特征●具有对IDRM或IRRM***检测功能，测量结果数字显示，测量精度≤1mA●具有漏电流保护***丝（0.1A）及熔断警示装置●具有试验电压预设定保护功能●“自动加电”：老化电源、老化器件试验参数加载均实现自适应程控方式，用户只需调用器件数据库，自动完成试验全过程●根据用户需要编辑加电程式，及时发现插反的材料和完成程式试验过程●全试验过程计算机监测每个试验器件的试验参数，绘制全过程HTRB/HTIR试验曲线，数据可转换成Excel表格供用户保存和分析IGBT动静态参数测试系统厂家大功率IGBT动态参数测试系统轨道机车检修专用IGBT参数测试仪逆变器IGBT动静态参数测试分析仪变流器IGBT参数测试仪新能源IGBT动静态参数分析仪MOS场效应管测试仪研发厂家西安谊邦直供MOS管测试仪大功率MOS管测量仪电源MOS测试专用仪器新能源汽车MOS测试专用仪表厂家直供可控硅测试仪大功率可控硅参数测量分析仪)