系统概述半导体分立器件作为在电力电子行业中应用***为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是***负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。该测试系统主要用于IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流200A，电压4500V，雪崩能量可达2000J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行***终的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。功能指标：配置测试范围测试参数条件范围电压1000VIGBTs绝缘栅双极型晶体管EAS/单脉冲雪崩能量VCE20V～4500V20~100V&plu***n;3%&plu***n;1V100~1000V&plu***n;3%&plu***n;5V1000V~4500V&plu***n;3%&plu***n;10V电流200AMOSFETsMOS场效应管EAR/重复脉冲雪崩能量Ic1mA～200A1mA～100mA&plu***n;3%&plu***n;0.1mA100mA～2A&plu***n;3%&plu***n;5mA2A～200A&plu***n;3%&plu***n;50mADIODEs二极管IAS/单脉冲雪崩电流Ea1J～2000J1J～100J&plu***n;3%&plu***n;1J100J～500J&plu***n;3%&plu***n;5J500J～2000J&plu***n;3%&plu***n;10JPAS/单脉冲雪崩功率IC检测50mV/A（取决于传感器）***负载10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、重复间隙时间1~60s可调（步进1s）重复次数：1~50次测试系统特点1.图形显示功能2.局部放大功能3.程序保护***大电流/电压,以防损坏4.品种繁多的曲线5.可编程的数据点对应6.增加线性或对数7.可编程延迟时间可减少器件发热8.保存和重新导入入口程序9.保存和导入之前捕获图象10.曲线数据直接导入到EXCEL11.曲线程序和数据自动存入EXCEL12.程序保护***大电流/电压,以防损坏IGBT动静态参数测试系统厂家大功率IGBT动态参数测试系统轨道机车检修专用IGBT参数测试仪逆变器IGBT动静态参数测试分析仪变流器IGBT参数测试仪新能源IGBT动静态参数分析仪MOS场效应管测试仪研发厂家西安谊邦直供MOS管测试仪大功率MOS管测量仪电源MOS测试专用仪器新能源汽车MOS测试专用仪表厂家直供可控硅测试仪大功率可控硅参数测量分析仪)