系统特征●针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统●自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作）●计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储●采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点●测试方法灵活（可***测试器件以及单个单元和多单元的模块测试）●安全稳定（PLC对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）控制系统：计算机控制系统计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元，设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态，数据采集等均由计算机完成。计算机采用研华工业控制机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点。计算机中，装有美国***仪器公司生产的数据采集卡NIPCI6221卡2块，NIPCI6221是一块多功能的数据采集卡，具有三组数据端口，16/8个模拟量输入端口，两个模拟量输出口、两个定时器计数器。PLC控制系统控制系统除工控机外，还采用了欧姆龙系列的PLC，PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制，并且与计算机进行通讯，完成了整个系统的自动控制功能；PLC不仅控制开关的动作，而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控，并与硬件进行互锁，实现了可靠的安全控制功能。参数条件：①栅极-发射极漏电流IGES④集电极-发射极截止电流ICESIGES:0.1-10uA&plu***n;3%&plu***n;0.1uA集电极电流ICES:0.1-30mA&plu***n;5%&plu***n;0.01mA集电极电压VCE:0V集电极电压VCE:100-3500V&plu***n;5%（选配）栅极电压VGE:20V&plu***n;3%&plu***n;0.2V栅极电压VGE:0V②集电极-发射极电压BVCES⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH集电极电压VCES:100-3500V&plu***n;5%&plu***n;10V（选配）VGETH:0.1-10V&plu***n;3%&plu***n;0.1V集电极电流ICES:0.1-30mA&plu***n;5%&plu***n;0.01mAVGE=VCE栅极电压VGE:0V集电极电流ICE:30mA&plu***n;3%③集电极发射极饱和电压VCESAT⑥二极管压降测试VFVCESAT:0.1-10VVF:0.1-5V&plu***n;3%&plu***n;0.01V栅极电压VGE:&plu***n;15V&plu***n;2%&plu***n;0.2V栅极电压VGE:0V集电极电流ICE:50-600A&plu***n;5%（选配）电流IF:50-600A&plu***n;5%（选配）导通电流IC:50-600A&plu***n;5%栅极电压VGE:&plu***n;15V&plu***n;0.2V测试系统指标1.测试电压：≤2KV2.测试电流：≤50A3.电压分辨率：1mV4.电流分辨率：0.1nA5.测试精度：0.2%&plu***n;2LSB1.3测试范围1．双向可控硅（TRIAC）2．MOS场效应管（PowerMOSFET）3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）4．结型场效应管（J-FET）5．晶体管（Transistor）6．达林顿阵列(Darliknton)7．稳压（齐纳）二极管（Zener）8．二极管(Diode)9．可控硅整流器（SCR）10．三端稳压器（REGULATOR）11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）12．双向触发二极管（DIAC)13．固态过压保护器（SOVP）14．继电器（RELAY）IGBT动静态参数测试系统厂家大功率IGBT动态参数测试系统轨道机车检修专用IGBT参数测试仪逆变器IGBT动静态参数测试分析仪变流器IGBT参数测试仪新能源IGBT动静态参数分析仪MOS场效应管测试仪研发厂家西安谊邦直供MOS管测试仪大功率MOS管测量仪电源MOS测试专用仪器新能源汽车MOS测试专用仪表厂家直供可控硅测试仪大功率可控硅参数测量分析仪)