系统概述IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。该系统是针对IGBT器件的开关特性及内部续流二极管的反向***特性而推出的全自动测试系统。适用于电流≯1500A，集电极电压≯3500V，续流二极管正向电流≯2000A的IGBT器件的特性参数测试。参数条件：IGBT开通特性测试IGBT关断特性测试测试气动夹具测试参数开通延迟tdon10-1000ns&plu***n;5%&plu***n;10nsTj=25ºC和125ºC关断延迟tdoff10-2000ns&plu***n;5%&plu***n;10nSTj=25ºC和125ºC压力：5000PA的品牌空压机供气。控温范围：25℃~200℃控温精度：&plu***n;1.0℃&plu***n;1%器件接触：20个探针的接触矩阵上升时间tr10-1000ns&plu***n;5%&plu***n;10nsTj=25ºC和125ºC下降时间tf10-2000ns&plu***n;5%&plu***n;10nSTj=25ºC和125ºC开通能量Eon1-1000mJ&plu***n;5%&plu***n;0.1mJTj=25ºC和125ºC关断能量Eoff1-1000mJ&plu***n;5%&plu***n;0.1mJTj=25ºC和125ºC测试条件集电极电压Vce50-3500V&plu***n;5%根据用户要求定制集电极电压Vce50-3500V&plu***n;5%根据用户要求定制集电极电流Ice50-1500A&plu***n;5%根据用户要求定制集电极电流Ice50-1500A&plu***n;5%根据用户要求定制负载L20-1000uHL负载20-1000uH栅极电压Vge&plu***n;15V&plu***n;3%&plu***n;0.2V短路测试Sct一次短路/脉宽10uS/短路电流10KA二极管反向***Drr反向***电流/反向时间/反向di/dt测试系统指标1.测试电压：≤2KV2.测试电流：≤50A3.电压分辨率：1mV4.电流分辨率：0.1nA5.测试精度：0.2%&plu***n;2LSB1.3测试范围1．双向可控硅（TRIAC）2．MOS场效应管（PowerMOSFET）3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）4．结型场效应管（J-FET）5．晶体管（Transistor）6．达林顿阵列(Darliknton)7．稳压（齐纳）二极管（Zener）8．二极管(Diode)9．可控硅整流器（SCR）10．三端稳压器（REGULATOR）11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）12．双向触发二极管（DIAC)13．固态过压保护器（SOVP）14．继电器（RELAY）)