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西安厂商直供半导体分立器件测试系统
价格:100.00
系统概述设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机***完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。测试系统指标1.测试电压:≤2KV2.测试电流:≤50A3.电压分辨率:1mV4.电流分辨率:0.1nA5.测试精度:0.2%&plu***n;2LSB1.3测试范围1.双向可控硅(TRIAC)2.MOS场效应管(PowerMOSFET)3.绝缘栅双极大功率晶体管(IGBT)4.结型场效应管(J-FET)5.晶体管(Transistor)6.达林顿阵列(Darliknton)7.稳压(齐纳)二极管(Zener)8.二极管(Diode)9.可控硅整流器(SCR)10.三端稳压器(REGULATOR)11.光电耦合器(OPTO-COUPLER)12.双向触发二极管(DIAC)13.固态过压保护器(SOVP)14.继电器(RELAY)大功率半导体测试系统特点1.图形显示功能2.局部放大功能3.程序保护***大电流/电压,以防损坏4.品种繁多的曲线5.可编程的数据点对应6.增加线性或对数7.可编程延迟时间可减少器件发热8.保存和重新导入入口程序9.保存和导入之前捕获图象10.曲线数据直接导入到EXCEL11.曲线程序和数据自动存入EXCEL12.程序保护***大电流/电压,以防损坏基础配置:技术参数ENJ2005-A型主极电压10mV-2000V主极电流100nA-50A扩展电流100A、200A、400A、500A电压分辨率1mV电流分辨率100nA测试精度0.5%+2LSB测试速度0.5mS/参数测试参数:漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)击穿参数:BVCEOBVCES(300μSPulseabove10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO增益参数:hFE、CTR、gFS、导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)混合参数:***ON、gFS、InputRegulation、OutputRegulation关断参数:VGSOFF触发参数:IGT、VGT保持参数:IH、IH+、IH-锁定参数:IL、IL+、IL-)