ABBDI8203BSE008512R1出于质保原因，希望能够对特定的事件进行计数，例如上电次数、工作时间、硬(按钮)复位和超时。尽管数字计数器很容易搭建，但使其做到非易失、不可复位并非轻而易举。本文介绍如何利用常见串行EEPROM的EPROM仿真模式及编码机制解决这一问题。设计目标有些应用中，考虑到质保期的要求，希望能够对特定的事件进行计数和记录，例如上电次数、工作时间、硬(按钮)复位和超时。传统的电子计数器通常由双稳态多谐振荡器组成，采用二进制编码，如图1所示。当全部触发器复位时，则达到***大计数值，计数器规模由核查期限内允许发生某些事件的***大次数决定。图1.二进制码中，下一位比上一位位值翻倍。***需求尽管基于触发器的计数器很容易搭建，但它存在一个缺点。当达到计数限值时，计数器反转为零(自动复位)。工作状态也是易失的——需要电源维持其计数状态。***个问题可通过达到限值时***计数器解决；也可以通过安装电池维持计数器的供电，从而解决第二个问题。但这些措施在实际应用中可能无法接受，因为增加了成本，且工作时间有限。一种替代方案是：将计数值备份在EEPROM或其它形式的非易失(NV)存储器中。下次上电时，将该NV存储器中储存的数值加载到计数器。然而，除非NV存储器嵌入另一个芯片，例如微控制器或FPGA，否则存储器内容并不安全，因为存储器芯片很容易拆除、重新编程(复位)，然后重新安装到电路板上。因此，这种方法不满足不可复位的要求。传统设计EPROM是另一种不需要电池的非易失存储器。EPROM在上世纪70年代随着微处理器的出现得到广泛使用。出厂时，EPROM的全部字节为FFh。通过将某一位从1(擦除)置为0(编程)来储存数据；编程需要12V至13V脉冲电压。加载新数据之前，必须用高强度紫外线通过封装上的窗口照射芯片，从而擦除整个存储器。一次性编程(OTP)EPROM器件没有窗口，因此不可擦除。由于这些不便之处，EPROM的主导地位逐渐被EEPROM和高密度闪存所取代，后两者的工作和编程电压为5V或更低。虽然如此，将OTPEPROM一次可编程(1至0)及不可擦除的特点与现代EEPROM技术相结合，能够得到EPROM仿真模式的新特性。EPROM仿真模式是实现非易失、不可复位计数器的关键技术。EPROM仿真模式串口EEPROM的一个常用功能是充当写入页的缓存器，能够一次编程整个存储器页。收到写命令时，系统自动装载包含寻址存储器数据的页缓存器内容。对于EPROM仿真模式，按照移位寄存器写缓存器(图2)。输入新数据(D-IN)送到一个“与”门，在进入缓存器(S-IN)之前将其与缓存器数据(S-OUT)相组合。因此，“与”门确保存储器位在置为0后不会变为1。经过一个完整的页操作周期后，缓存器的数据再次与存储器页中的数据对齐。随后可以开始一个写周期，将整个缓存器内容***到非易失EEPROM。图2.EPROM仿真将新数据与已有数据位相“与”，写回到存储器。EPROM计数由于EPROM位只能在一个方向改变，不支持传统的计数器设计思路，而是将整个存储器阵列视为一个n位的单体。初始状态下，n位存储单元均未编程(为1)。为了对事件计数，必须将未编程的位更改为0。可以简单地随机选择下一个编程位，但图3所示方法更容易实现。该方法从***低有效位开始依次计数，直到对一个字节的所有位进行编程。然后再逐位编程下一个字节，依此循环。EPROM仿真模式下，1024位存储器芯片可以对1024个事件计数。6AR1301-0HA20-0AA0VLT3060175L3007IBSIP500ELRW-60ADI4/4Ord.-No.27517556DS1223-8ACCLX490-00106SE7016-1EA61-Z6SL3120-2TE21-0AA4MOVITRAC201CDACS800-01-0040-7VLTTYPE3016VLT5006VLT50067.6kVAVTL50067.6kVAGMXTF-0616.40224.00-B51FK7044-7AF71-1EH5-ZHeinrichs417698Durchflus***essgerteverd.6DS1731-8DCDDS03.1-W050-DDDS03.1-W030-DS01-016FM1706-3AA20PhilipsVisionProcessorLegato6SE9516-0DB406ES5941-7UA13AX5203-00006***4012-0AA10-0AB0***00/540-200F-3216QG3214-2EA00C500/675-400F-3216QG3216-4EA006ES5955-3LF41HCS02.1E-W0054-A-03-NNNNHCS02.1E-W0028-A-03-NNNN6DS1300-8AB1FK7063-5AH71-1?DG5-Z)