3BSE069053R1/DO818
ABBDO818(3BSE069053R1)ABBDO818(3BSE069053R1)ABBDO818(3BSE069053R1)与程序存储器类似,数据存储器可以位于微控制器内部,或者是外部器件,但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器,但有时不包含内部EEPROM,在这种情况下,当需要存储大量数据时,设计工程师可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。当然,也可以使用并行EEPROM或闪存,但通常它们只被用作程序存储器。当需要外部高速数据存储器时,通常选择并行SRAM并使用外部串行EEPROM器件来满足对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器,但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。针对非易失性存储器要求,串行EEPROM器件支持I2C、SPI或微线(Microwire)通讯总线,而串行闪存通常使用SPI总线。由于写入速度很快且带有I2C和SPI串行接口,FRAM在一些系统中得到应用。表2比较了各类数据存储器的优缺点。表2比较了各类数据存储器的优缺点6.易失性和非易失性存储器存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器,前者在断电后将丢失数据,而后者在断电后仍可保持数据。设计工程师有时将易失性存储器与后备电池一起使用,使其表现犹如非易失性器件,但这可能比简单地使用非易失性存储器更加昂贵。然而,对要求存储器容量非常大的系统而言,带有后备电池的DRAM可能是满足设计要求且性价比很高的一种方法。在有连续能量供给的系统中,易失性或非易失性存储器都可以使用,但必须基于断电的可能性做出***终决策。如果存储器中的信息可以在电力***时从另一个信源中***出来,则可以使用易失性存储器。选择易失性存储器与电池一起使用的另一个原因是速度。尽管非易失存储器件可以在断电时保持数据,但写入数据(一个字节、页或扇区)的时间较长。7.串行存储器和并行存储器在定义了应用系统之后,微控制器的选择是决定选择串行或并行存储器的一个因素。对于较大的应用系统,微控制器通常没有足够大的内部存储器,这时必须使用外部存储器,因为外部寻址总线通常是并行的,外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。较小的应用系统通常使用带有内部存储器但没有外部地址总线的微控制器。如果需要额外的数据存储器,外部串行存储器件是***佳选择。大多数情况下,这个额外的外部数据存储器是非易失性的。根据不同的设计,引导存储器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器没有内部存储器,并行的非易失性存储器件对大多数应用系统而言是正确的选择。但对一些高速应用,可以使用外部的非易失性串行存储器件来引导微控制器,并允许主代码存储在内部或外部高速SRAM中。8.EEPROM与闪存存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊,如今有一些类型的存储器(如EEPROM和闪存)组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写,并像ROM一样在断电时保持数据,它们都可电擦除且可编程,但各自有它们优缺点。从软件角度看,***的EEPROM和闪存器件是类似的,两者主要差别是EEPROM器件可以逐字节地修改,而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。对闪存的重新编程还需要使用SRAM,因此它要求更长的时间内有更多的器件在工作,从而需要消耗更多的电池能量。设计工程师也必须确认在修改数据时有足够容量的SRAM可用。存储器密度是决定选择串行EEPROM或者闪存的另一个因素。市场上目前可用的***串行EEPROM器件的容量在128KB或以下,***闪存器件的容量在32KB或以上。如果把多个器件级联在一起,可以用串行EEPROM实现高于128KB的容量。很高的擦除/写入耐久性要求促使设计工程师选择EEPROM,因为典型的串行EEPROM可擦除/写入100万次。闪存一般可擦除/写入1万次,只有少数几种器件能达到10万次。今天,大多数闪存器件的电压范围为2.7V到3.6V。如果不要求字节寻址能力或很高的擦除/写入耐久性,在这个电压范围内的应用系统采用闪存,可以使成本相对较低。9.EEPROM与FRAMEEPROM和FRAM的设计参数类似,但FRAM的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下,用户仍会选择EEPROM而不是FRAM,其主要原因是成本(FRAM较为昂贵)、质量水平和供货情况。设计工程师常常使用成本较低的串行EEPROM,除非耐久性或速度是强制性的系统要求。DRAM和SRAM都是易失性存储器,尽管这两种类型的存储器都可以用作程序存储器和数据存储器,但SRAM主要用于数据存储器。DRAM与SRAM之间的主要差别是数据存储的寿命。只要不断电,SRAM就能保持其数据,但DRAM只有极短的数据寿命,通常为4毫秒左右。与SRAM相比,DRAM似乎是毫无用处的,但位于微控制器内部的DRAM控制器使DRAM的性能表现与SRAM一样。DRAM控制器在数据消失之前周期性地刷新所存储的数据,所以存储器的内容可以根据需要保持长时间。由于比特成本低,DRAM通常用作程序存储器,所以有庞大存储要求的应用可以从DRAM获益。它的***大缺点是速度慢,但计算机系统使用高速SRAM作为高速缓冲存储器来弥补DRAM的速度缺陷。总结了本文提到的各类存储器的特性。需要注意的是,不同类型的存储器的适合情况不同,每种类型都有自己的优点和弱点,所以逐项比较并非总能得到有意义的结果。本文小结尽管我们几乎可以使用任何类型的存储器来满足嵌入式系统的要求,但终端应用和总成本要求通常是影响我们做出决策的主要因素。有时,把几个类型的存储器结合起来使用能更好地满足应用系统的要求。例如,一些PDA设计同时使用易失性存储器和非易失性存储器作为程序存储器和数据存储器。把***的程序保存在非易失性ROM中,而把由用户***的程序和数据存储在有电池支持的易失性DRAM中。不管选择哪种存储器类型,在确定将被用于***终应用系统的存储器之前,设计工程师必须仔细折中考虑各种设计因CI615K013BSE000756R1CI6303BSE011000R1CI630K023BSE011002R1CI6703BHT300017R1CI810B3BSE020520R1CI820-23BSE013202A1CS5123BUR980009R1CS5133BSE000435R1CS513K023BSE004773R1CS513K043BSE055760R1DI6213BHT300012R1DO6103BHT00006R1DO6303BHT300007R1DSAI13357120001-PSDSAI11057120001-DPDSAI1455712001-HADSAI1463BSE007949R1DSAI15557120001-HZDSAI155A3BSE014162R1DSAO11057120001-ATDSAO120A3BSE018293R1DSAX11057120001-PC/5,57120001-PC/6DSAX110A3BSE018291R1DSAX452ABBAdvantOCSDSBB12048980002-ADSBC17357310001-KHDSBC173A3BSE005883R1DSBC1743BSE012211R1DSCS14057520001-EVDSDI11057160001-A/13,57160001-ADSDI110A57160001-AAADSDO12057160001-AKDSDO131ABBAdvantOCSDSDO11057160001-KDSDP15057160001-GFDSDX1803BSE003859R1DSDX180A3BSE018297R1DSDX4525716075-PDSPC45257310303-ADSPU1313BSE000355R1DSRF1863BSE004383R1DSRF1873BSE004985R1DSRF1993BSE019299R1DSSS1713BSE005003R1DSTA00157120001-PXDSTA001B3BSE018316R1DSTA002B3BSE018317R1DSTA13157120001-CVDSTAN0133BNP000177R1DSTA002A3BSE015196R1DSTA002P3BSE018331R1DSTC12057520001-A/2IN5752-1001-E/03DSTC19057520001-ER/1IN5752-1001-BP/01DST***0657520001-DX/1DST***525751017-A/2DSTD10857160001-ABDDSTD120A57160001-UD2668180-99/1DSTD1903BSE004723R1DSTD1973BSE004726R1DSTX1803BUR980025R1GJR5250000R035307KR91BGJR5250200R107SK90R1GJR5250200R0001GJR5250500R510123KT92,RTU510GJR5250800R020207DO90-SGJR5251063P1ABBAdvantOCSGJR5251500R110107MK92GJR5252100R010107KT94GJR5252100***6107KT94GJR5252200R010107DC92,07DC92E,07DC***,07DC92BGJR5252300R010107AC91GJR5252800R010007KT95GJR5252800R020007KT95GJR5253000R016007KT97C3BSC950019R1TK520V0303BSC950055R1TK576V0503BSC950056R1TK576V1153BSC950073R273BSC950098R13BSE016239R1PM510V08AI6203BHT300005R1AO6103BHT300008R13BSE018184R1AX6703BSE000566R1CI520V13BSE012869R1CI5223BSE012790R1CI522AK063BSE018453R1CI5263BSE006085R1CI532V013BSE003826R1CI532V023BSE003827R1CI532V033BSE003828R1CI532V043BSE003829R1CI534V023BSE010700R1CI534V043BSE010702R1CI5413BSE014665R1CI541V13BSE014666R1CI5603BUC98002R0001CI5723BSE017712R1CI6103BHT300003R191GJR5251600R020207AI91C07KP93GJR5253200R11611KGT005200R000323WT90RTU5101SAP111100R0170TB511-ETH1SAP212000R0001TU516TU516A1SAP240000R0001DI5241SAP250000R0001AX522A1SAP250300R0001AI523AI523B41SBP260001R100186AR2301SBP260010R100107KR5107KR51-U3.61SBP260011R100107KR51-P30;07KR51-F121SBP260012R100107KT5107KT51-U3.61SBP260014R100107KR51-A3.61SBP260021R100107CR41-c121SBP260051R1001ICMK14F1-H081SBP260100R1001XI16E1-b10XI16E1-E4.0,XI16E1-D021SBP260101R1001XO08R1;XOO8R1-B041SBP260104R1001XK08F1XK08F1-A3.0XK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