高纯氧化铟，三氧化二铟（In2O3）99.99%-99.999%1,中文名称：氧化铟中文别名：三氧化二铟英文别名：Indiumoxide;Diindiumtrioxide;indium(+3)cation;oxygen(-2)anion;oxo-oxoindiganyloxy-indigane分子式：In2O3分子量：277.6342CAS号：1312-43-2;12672-71-8EINECS号：215-193-9;235-765-12,纯度：99.999%or5N。3，技术对接：气相沉积CVD—采用高频加热，高纯***气携带铟蒸气进入反应室与过量的氧气O2，气相沉积而成。4，检验：XRD注：所有的杂质元素（包括过渡元素，稀土元素）都低于1ppm5，包装：三层真***装。6，用途：主要用于红外光纤；透明电极和电子元件材料。7，服务：提供MSDS及其防护措施，免费样品。8，交期：7-10天/10Kgs。氧化铟（In2O3）是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。三氧化二铟属于铟的延伸产品，广泛应用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学***、低***和无***碱性电池的添加剂等。随着科学技术的不断发展，三氧化二铟在液晶显示尤其在ITO靶材方面的应用越来越广。)