IC693PWR330低频磁屏蔽干扰如为低频磁场，这时的电涡流现象不太明显，只用上述方法抗干扰效果并不太好，因此必须采用采用高导磁材料作屏蔽层，以便把低频干扰磁感线限制在磁阻很小的磁屏蔽层内部，使被保护电路免受低频磁场耦合干扰的影响。传感器检测仪器的铁皮外壳就起低频磁屏蔽的作用。若进一步将其接地，又同时起静电屏蔽和电磁屏蔽的作用。基于以上3种常用的屏蔽技术，因此在干扰比较严重的地方，可以采用复合屏蔽电缆，即外层是低频磁屏蔽层，内层是电磁屏蔽层，达到双重屏蔽的作用。例如电容式传感器在实际测量时其寄生电容是必须解决的关键问题，否则其传输效率、灵敏度都要变低，必须对传感器进行静电屏蔽，而其电极引出线就采用双层屏蔽技术，一般称之为驱动电缆技术。用这种方法可以有效的克服传感器在使用过程中的寄生电容。4.4隔离技术在接口电路中，如出现两点以上接地时，可能引入共阻耦合干扰和地环路电流干扰。***这类干扰的方法是采用隔离技术。通常有电磁隔离和光电隔离两种。4.4.1电磁耦合隔离利用隔离变压器来切断环流，由于地环路则被切断，两电路有***的地电位基准，因而不会造成干扰，信号通过耦合形式进行传递。IC693PWR330CIMR-37AS35HP230VACDRIVECIMR-37B50HPHIIDRIVECIMR-37C5HPHIIDRIVECIMR-45B60HPHIIDRIVECIMR-5.5B7.5HPHIIDRIVECIMR-5.5B/JOHB7.5HPHIIDRIVECIMR-5.5G27.5H230VACDRIVECIMR-5.5G2-E107.5H230VACDRIVECIMR-55B75HPHIIDRIVECIMR-7.5B10HPHIIDRIVECIMR-7.5G210HP230VACDRIVECIMR-7.5G2-1010HP230VACDRIVECIMR-7.5TW10HPHIIDRIVECIMR-7.5TW110HPHIIDRIVECIMR-E7U403050HP460VACDRIVECIMR-F08AS21HP460VACDRIVECIMR-F08AS2/SIF1HPACDRIVEW/OPTCIMR-F08AS31HP460VACDRIVECIMR-F08AS41HP460VACDRIVECIMR-F10AS2/SIF1.5HACDRIVEW/OPCIMR-F15AS22HP460VACDRIVECIMR-F15AS32HP460VACDRIVECIMR-F15AS42HP460VACDRIVECIMR-F22AS23HP460VACDRIVECIMR-F22AS33HP460VACDRIVECIMR-F37AS25HP460VACDRIVECIMR-F37AS35HP460VACDRIVECIMR-F55AS27.5H460VACDRIVECIMR-F75AS210HP460VACDRIVECIMR-F7***02230HP460VACDRIVE)