S***annah系列原子层沉积设备S***annahG2基本性能ALD设备可选腔室尺寸：100mm,200mm或300mm标准腔室温度：350℃占地面积小标配2个气源，可选配6个气源性能可扩展，灵活性高设备设计精简设备内整合了蒸气阱可选配多种性能S***annahG2ALD设备优势快速ALD工艺处理(2秒处理AL2O3)增强版气源&气体传送设备控制系统性能高新型软件结构在线椭圆测量整合了在线石英晶体微量天秤低压沉积性能高批量处理不同气源高温手套箱解决方案粒子沉积系统可选等离子增强ALD性能)