价格电议霍尔效应测量系统ezHEMS上海伯东英国NanoMagnetics仪器ezHEMS霍尔效应测量系统为VanderPauw和HallBar测量提供了一个创新的解决方案.ezHEMS霍尔效应测量独特的设计使得用户能够以***高分辨率和精度测量80K到500K之间的样品,所有的磁铁移动和温度变化都可以自动完成而不会改变组件.ezHEMS™霍尔效应测量系统软件支持不同测量数据记录和绘图:I-V曲线,电阻,电阻率,薄层电阻,磁阻,载流子浓度,霍尔迁移率,霍尔系数作为温度的函数霍尔效应测试仪ezHEMS主要用于测量半导体材料的载流子浓度,迁移率,电阻率,霍尔系数,导电类型等重要参数,是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性的必备工具.霍尔效应测试仪ezHEMS主要由恒电流源,范德堡法则终端转换器,常温测量系统,低温(80K~常温)测量系统,高温(常温~800K)测量系统及固定磁场强度输入系统组成,拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置,测试速度快,测量精度高,重复性好.霍尔效应测量系统ezHEMS主要特点恒电流源(2nA~20mA)采用六级电流范围设置,将可以接收的误差降到***低;范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声,具有可靠的精度及重现性.具有常温,液氮低温,以及高温测量系统(80~800K)恒定磁场(0.6T)不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量测试速率快,可同时测量得到体载流子浓度(Bulkcarrierconcentration),表面载流子浓度(Sheetcarrierconcentration),迁移率(Mobility),电阻率(Resistivity),霍尔系数(Hallcoefficient),磁致电阻(Magnetoresistance),电阻的纵横比率(Vertical/Horizontalratioofresistance)等参数.霍尔效应测量系统ezHEMS技术参数电阻率:10-4至109Ω-cm(样本依赖)迁移率:1至107cm2/Volt-sec(样本依赖)载流子浓度:10e7至1021percm-3(样本依赖)输入电流:&plu***n;2nA至&plu***n;20mA,&plu***n;12Vcompliance***小霍尔电压测量:0.1μV支持VanderPauw和Hallbar成形试样磁场强度:0.6Tesla或1Tesla***磁铁温度范围80-750K,分辨率&plu***n;0.2K,单一系统的整个温度范围可选更高的范围Pt-100电阻温度计,750K加热器,PID温控器通过USB接口进行电脑控制样品尺寸从5x5mm至15mmx15mm,适用样品厚度<2mm样品测量板:弹簧样品板ezHEMS软件控制磁铁运动霍尔效应测量系统ezHEMS应用领域上海伯东英国NanoMagnetics仪器霍尔效应测量系统ezHEMS可广泛应用于半导体器件和半导体材料电学特性表征,***测量半导体材料的载流子浓度,迁移率,电阻率,霍尔系数等重要参数.测量材料:Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN,TCO(includingITO),AlZnO,FeCdTe,ZnO等所有半导体薄膜材料导电类型判断(P型和N型)材料载流子浓度,迁移率,方块电阻等参数测量材料掺杂杂质***能测量上海伯东:叶女士台湾伯东:王女士T:+86-21-5046-3511ext109T:+886-03-567-9508ext161F:+86-21-5046-1490F:+886-03-567-0049M:+861391-883-7267M:+886-939-653-958ec@hakuto-ec@.twwww.hakuto-www.hakuto-.tw上海伯东版权所有,翻拷必究！)