CIGS薄膜太阳能电池一、生产***CIS电池的难点：多层薄膜的制备技术，及薄膜厚度和掺杂的均匀控制。高质量多晶薄膜的制备，产生致密性粒径大于1微米CIS薄膜。大面积生产的稳定性。二、CIS电池结构铜铟硒（CIS）太阳能电池是多元化合物半导体薄膜电池，它是在玻璃或是其它廉价衬底上依次沉积多层薄膜而构成的光伏器件。在玻璃衬底到***顶层依次是：金属Mo背电极/CIS吸收层/CdS过渡层/本征ZnO(i-ZnO)层/ZnAl窗口层，***后可以选择在表面依次镀上减反射层(ARCoating)来增加光的入射，再镀上金属栅极用于引出电流。三、CIS电池的特点低成本CIS电池采用了廉价的Na-Lime玻璃做衬底，采用溅射技术为制备的主要技术，这样Cu,In,Ga，Al，Zn的耗损量很少，对大规模工业生产而言，如能保持比较高的电池的效率，电池的价格以每瓦计算会比相应的单晶硅和多晶硅电池的价格低得多。***率禁带宽度（1.1eV）适于太阳光的光电转换；容易形成固溶体以控制禁带宽度的特点，目前实验室样片效率达到18.8％。可大规模生产近二十年的研究表明，CIS电池的界面是化学稳定的；亚稳态缺陷对载流子有正面的影响；而Cu漂移是可逆的，它的漂移缓解了在材料中的化学势产生的缺陷梯度，这种适应性使其有很好的抗辐照和抗污染能力，从而具备大规模生产的优势。四、技术优势及项目发展状况北京大学新能源中心有多名***和高工长期从事超导腔薄膜的研制、真空及溅射系统的设计、光电转换材料的制备以及能带工程等方面的科研工作。可以满足研制CIS电池的各方面的工作（包括溅射设备、真空硒化设备的设计，溅射薄膜的研制、改性及优化，光电性能的检测和产品的实用化规模化）的需要。)