AO3407P沟道增强型功率MOSFET该AO3407采用***的沟槽技术，提供优良的***（ON），该装置适用于负荷开关或在PWM应用。总体特征●VDS=-30V，id=-4.1A***（ON）＜95mΩ@VGS=-4.5v***（ON）<65mΩ@VGS=-10V●高功率和电流处理能力●无铅产品获得●表面贴装封装应用●PWM应用●负荷开关●电源管理深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年,***研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外***半导体厂家的晶圆芯片，OEM委托国内半导体封装大厂生产加工。主营贴片二、三极管系列，高、低压MOS系列，电源管理IC（AC-DC/DC-DC)，LDO低压差线性稳压器，三端稳压IC，基准源IC，LED驱动IC，***、升压IC，电压检测，运算放大器，电压比较器，时基电路，功放电路，可控硅，整流桥等系列产品。)