四、对准（Alignment）光刻对准技术是***前一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为***细线宽尺寸的1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高，对准精度要求也越来越高，例如针对45am线宽尺寸，光刻胶，对准精度要求在5am左右。受光刻分辨力提高的推动，对准技术也经历迅速而多样的发展。从对准原理上及标记结构分类，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式、干涉强度对准、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式。从对准信号上分，光刻胶北京，主要包括标记的显微图像对准、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。光刻胶存储条件及操作防护光刻胶是一种可燃液体，储存条件应符合对应的***，不要与强氧化剂混合，存放在通风良好的地方，保持容器密闭，避免吸入蒸汽或雾气，避免接触眼睛、皮肤或衣服，操作后彻底清洗。个人防护眼睛：佩戴化学飞溅护目镜。皮肤：戴上适当的防护手套防止皮肤暴露。服装：穿戴合适的防护服防止皮肤暴露。呼吸器：无论何时在工作环境下呼吸保护必须遵循中国职业安全健康***标准的规定和ANSI美国***标准学会Z88.2的相关要求，或必须执行欧洲呼吸防护EN149的标准。光刻的工序下面我们来详细介绍一下光刻的工序：一、清洗硅片（WaferClean）清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少***和其它缺陷，光刻胶品牌，提高光刻胶黏附性基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例GoldfingerMach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304DSS清洗系统）、日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术。赛米莱德(图)-光刻胶北京-光刻胶由北京赛米莱德贸易有限公司提供。行路致远，砥砺前行。北京赛米莱德贸易有限公司（）致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为工业制品较具影响力的企业，与您一起飞跃，共同成功!)