ENJ2005-C晶体管图示仪系统特征：●IV曲线显示/局部放大●程序保护***大电流/电压,以防损坏●品种繁多的曲线●可编程的数据点对应●增加线性或对数●可编程延迟时间可减少器件发热●保存和重新导入入口程序●保存和导入之前捕获图象●曲线数据直接导入到EXCEL●曲线程序和数据自动存入EXCEL●测试范围广（19大类、27分类）曲线测试：IDvs.VDSatrangeofVGSIDvs.VGSatfixedVDSISvs.VSD***vs.VGSatfixedID***vs.IDatseveralVGSIDSSvs.VDS/HFEvs.ICBVCE（O,S,R,V）vs.ICBVEBOvs.IEBVCBOvs.ICVCE（SAT）vs.ICVBE（SAT）vs.ICVBE（ON）vs.IC（useVBEtest）VCE（SAT）vs.IBatarangeofICVFvs.IF测试参数：漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)击穿参数：BVCEO、BVCES(300μSPulseabove10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO增益参数：hFE、CTR、gFS导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)关断参数：VGSOFF触发参数：IGT、VGT保持参数：IH、IH+、IH-锁定参数：IL、IL+、IL-混合参数：***ON、gFS、InputRegulation、OutputRegulation间接参数：IL配置规格：配置规格/环境主极电压1mV-2000V尺寸450×570×280（mm）电压分辨率1mV质量35kg主极电流0.1nA-50A工作电压200V-240V扩展电流100A电源频率47Hz-63Hz电流分辨率0.1nA工作温度25℃-40℃测试精度0.2%+2LSB通信接口RS232USB测试速度0.5mS/参数系统功耗<150w测试范围：01二极管/DIODE02晶体管/NPN型/PNP型03J型场效应管/J-FET04MOS场效应管/MOS-FET05双向可控硅/TRIAC06可控硅/SCR07绝缘栅双极大功率晶体管/IGBT08硅触发可控硅/STS09达林顿阵列/DARLINTON10光电耦合/OPTO-COUPLER11继电器/RELAY12稳压、齐纳二极管/ZENER13三端稳压器/REGULATOR14光电开关/OPTO-SWITCH......其它器件共19大类27分类)