快速退火炉ANNEALSYSAS-Premium200x200mm²快速退火炉，***高1300℃应用RTA(RapidThermalAnnealing)快速热退火RTO(RapidThermalOxidation)快速热氧化Diffusion扩散Selenization,sulfuration硒化，硫化Compoundsemiconductorannealing化合物半导体退火Nitridation,Silicidation氮化，硅化CrystallizationandDensification结晶化，致密化具体参数设备用于处理200x200mm²基片体积***小化，便于维护稳定性高，拥有成本低不锈钢冷腔室壁技术使得设备工艺复现性高，可实现超洁净无污染环境及高冷却速率和低记忆效应灯管可配置在顶部，底部或两端。多个灯炉控制区域增强温度稳定性。高温计和热电偶结合快速数字温度控制器，可实现***的高低温控制边缘高温计视窗加强控制用于化合物半导体和小型样品的基片托温度标配真空性能。经客户要求，可提供高真空版本，本地压强可抽至10-6mbar)