氮化硅陶瓷镜面抛光板气压烧结法（GPS)近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压***了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度>99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷.因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视.气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近***终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用.而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产)