氮化硅陶瓷基板常压烧结法（PLS)在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4分解温度升高（通常在N2=1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进***压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4陶瓷***致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似)