产品分类：工业内存系列DDR内存的数据带宽是传统PC100或PC133SDRAM的两倍，并且特别适用于对CPU内存性能要求极高的高性能服务器和工作站。正如其名，DDRSDRAM是双倍数据速率SDRAM。一个时钟周期可表示为一个方波，“0”到“1”之间为上升缘，“1”到“0”之间为下降缘。在SDRAM中，只使用其中一个缘，但DDRSDRAM使用两个缘，使数据传输率提高了两倍。此为DDR-400CL3Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到1GB，由32/64MX8位TSOPII封装的DDR-400同步DRAM组成，用于安装在184脚侧边卡连接器插槽中产品详情JEDEC标准DDR速度等级400MbpsUnbufferedDIMM184-pin内存***X8TSOPIIDRAM芯片DDR2DRAM接口SSTL_25CAS延迟时间3-3-3带宽3200mb/sVDD电压2.6+-0.1VVDDQ电压2.6+-0.1V标准OP温度0℃+85℃工业OP温度-40℃+85℃PCB高度1.18英寸符合RoHS串行存在检测与EEPROM)