负性光刻胶负性光刻胶负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。A、粘性增强负性光刻胶粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力；很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是﹤0.1～120.0μm，可在i、g以及h-line波长***。粘性增强负胶对生产量的影响，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影，100μm的光胶显影仅需6～8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。i线***用粘度增强负胶系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。g和h线***用粘度增强负胶系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。B、加工负胶加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是﹤0.1～120.0μm，可在i、g以及h-line波长***。加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影，光刻胶显影，100μm的光胶显影仅需6～8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。用于i线***的加工负胶系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。表征光刻胶特性和性能、质量的参数有以下三个：(1)光学性质。光刻胶的光学性质包括光敏度和折射率。(2)力学特性和化学特性。光刻胶的力学特性和化学特性包括胶的固溶度、黏滞度、黏着度、抗蚀(刻蚀、腐蚀)性、热稳定性、流动性和对环境气氛(如氧气)的敏感度。(3)其他特性。光刻胶的其他特性包括胶的纯度、胶内的金属含量、胶的可应用范围、胶的储存有效期和胶的燃点。光刻胶国内研发现状“造成与国际水平差距的原因很多。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，光刻胶生产厂家，布局不合理、不完整，特别是生产加工环节的***，光刻胶，而忽视了***重要的基础材料、装备与应用研究。目前，整个产业是中间加工环节强，光刻胶NR9-3000py，前后两端弱，核心技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、***数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要，必须全部指标达到才能使用。因此，国外企业在配方、生产工艺技术等方面，对中国长期保密。中国的研发技术有待进一步发展光刻胶-光刻胶生产厂家-赛米莱德(优质商家)由北京赛米莱德贸易有限公司提供。光刻胶-光刻胶生产厂家-赛米莱德(优质商家)是北京赛米莱德贸易有限公司（）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：况经理。)