2，涂胶，在硅片覆盖，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm胶膜厚0.5-1um，3，前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，光刻胶价格，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，红外线辐射。烘箱前烘条件：90-100度，光刻胶北京，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，光刻胶NR9-3000py，而前烘不足会影响后面的显影效果。光刻的工序下面我们来详细介绍一下光刻的工序：一、清洗硅片（WaferClean）清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少***和其它缺陷，提高光刻胶黏附性基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例GoldfingerMach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304DSS清洗系统）、日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术。光刻胶国内研发现状“造成与国际水平差距的原因很多。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，特别是生产加工环节的***，而忽视了***重要的基础材料、装备与应用研究。目前，整个产业是中间加工环节强，前后两端弱，核心技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、***数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要，必须全部指标达到才能使用。因此，国外企业在配方、生产工艺技术等方面，对中国长期保密。中国的研发技术有待进一步发展光刻胶NR9-3000py-光刻胶-赛米莱德由北京赛米莱德贸易有限公司提供。北京赛米莱德贸易有限公司（）位于北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前赛米莱德在工业制品中拥有较高的知名度，享有良好的声誉。赛米莱德取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。赛米莱德全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。)