1200℃气相沉积炉(CVD炉)
价格:1.00
HKCVD-1200由开启式单(双)温区管式炉、高真空扩散泵系统、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。可实现真空达0.001Pa混合气体化学气相沉积和扩散试验。主要功能和特点:1、高真空系统由前级双级旋片真空泵和后级扩散泵组成,***高真空可达0.001Pa;2、可配合压强控制仪控制气体压力实现负压的精准控制;3、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计,流量显示仪等组成,实现气体的流量的精密测量和控制;每条气体管路均配备高压逆止阀,保证系统的安全性和连续均匀性。4、采用KF快速法兰密封,装卸方便快捷;管路采用世界***Swagelok卡套连接,不漏气;5、超温、过压时,自动切断加热电源及流量计进气,使用安全可靠。主要用途和适用范围:高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD/CVI实验,特别适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长、电池材料干燥烧结等场所。技术参数:HKCVD-1200.控温方式采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能,并可编制30段升降温程序。加热元件0Cr27Al7Mo2工作电源AC220V50HZ/60HZ额定功率4KW炉管尺寸Φ60/Φ80/Φ100*1000mm工作温度≤1150℃***高温度1200℃恒温精度&plu***n;1℃加热区长度440mm或220mm/220mm升温速度≤20℃/min密封方式不锈钢快速法兰挤压密封HKCVD-1200-K真空范围0.1-0.01Pa极限真空4.0*10^-4Pa产品配置双级旋片真空泵+扩散泵测量方式复合真空计真空规管电阻规+电离规冷却方式水冷工作电源AC380V50/60HZ抽速100L/SHKCVD-1200-I测量范围1*10^5~1*10^-1Pa稳压(真空)范围1*10^3~1*10Pa压力(真空)稳定精度&plu***n;3%控制范围2.5*10^3~5*10^-1Pa控制精度&plu***n;1%HKCVD-1200-Ⅲ控制方式D07-7K质量流量计,D08流量显示仪流量规格0-500SCCM/0-1SLM(可根据客户需要配置)线性&plu***n;1%F.S准确度&plu***n;1%F.S重复精度&plu***n;0.2%F.S.响应时间≤2sec耐压3MPa气路通道3通道(根据客户需求)针阀316不锈钢管道Φ6mm不锈钢管接口SwagelokΦ6mm)
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