***（CdS）晶体II-VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。基本性质化学分子式CdS晶向<001>晶体结构六方晶格常数a=4.1367Å，c=6.7161Å生长方法PVT熔点1287℃密度4.821g/cm3热膨胀4.6(x10-6/oC)折射率ho1.708，he1.723透过波段2.5-15(micr***)透过率>71%标准尺寸外延抛光基片<001>&plu***n;0.5o单抛或双抛，Ra<5Å面内定向10×10×0.5mm,10×5×0.5mm10×3×0.5mm,5×5×0.5mm)