本期为大家介绍骊微电子热门方案PN8370M+PN8305L5V2A六级能效充电方案，该5v2a充电器芯片方案拥有低待机、***率、小体积、高可靠性等优点，备受工程师青睐！PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置13mohm55VTrenchMOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。5V2A小体积六级能效充电方案特性：输入电压：90~265Vac全电压输出功率：10W平均效率：＞78.7％，满足六级能效要求(***率)待机功耗：＜50mW，Vin=264Vac(低待机)PN8305L双供电全工作状态无直通风险(高可靠性)拥有输出短路保护，输出过流保护，输出欠压保护(PCB端3.1V以下)，VDD过压保护，FB分压电阻开路短路保护，以及电流检测电阻Rcs开短路保护，过温保护(保护功能齐全))