IGBT综合特性测试仪一：主要特点华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的IGBT测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块，大功率IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的V-I特性测试，测试1200A（可扩展至1600A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成IGBT的静态参数测试；测试参数：ICES集电极-发射极漏电流IGESF正向栅极漏电流IGESR反向栅极漏电流BVCES集电极-发射极击穿电压VGETH栅极-发射极阈值电压VCESAT集电极-发射极饱和电压ICON通态电极电流VGEON通态栅极电压VF二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。二：华科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT测试仪应用范围C：大功率二极管序号测量范围V二极管正向导通压降&plu***n;1%,&plu***n;1mV二极管正向导通电流≤200A时,&plu***n;1%&plu***n;0.1A＞200A时,&plu***n;1%集电极-发射极电压&plu***n;1%,&plu***n;1V通态集电极电流≤200A时,&plu***n;1%&plu***n;0.1A＞200A时,&plu***n;1%集电极-发射极漏电流&plu***n;1%,&plu***n;10μA栅极-发射极阈值电压&plu***n;1%,&plu***n;1mV集电极-发射极饱和电压&plu***n;1%,&plu***n;1mV正向栅极漏电流&plu***n;2%,&plu***n;1nA反向栅极漏电流栅极发射极电压&plu***n;1%,&plu***n;1mV华科智源IGBT测试仪针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可***测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。)