生长方法VB导电类型N型掺杂元素Si直径2-4英寸方向(100)150&plu***n;10′offtoward〈111〉A载流子浓度Min:0.2E18Max:4.0E18/cm3电阻率Min:0.8E-3Max:9.0E-3迁移率≥1800cm2/v.s位错密度≤3500/cm2其他规格可按客户要求提供)