主要特点：1.单个基片、碎片或带承片盘的基片(3”-12”尺寸)2.适用于实验室和试制线生产3.沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅4.操作简单通过打开室盖，直接将基片装入工艺室5.可选配一个ICP或三极管（Triode）源，三极管可获得更高密度等离子)