***控制离子束流***控制加速电压占地小操作简单运行成本低自维护特别适合于研发应用适用于4”~6”晶片，***小可用于1*1cm2样品（室温）4”热注入模式，***高温度可达600度2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度1个Bernas离子源非凡的铝注入能力一个主气箱，配有4个活性气体管路；一个副气箱，配有4个中性气体管路高价样品注入能力注入角0~15度IBS特有的矢量扫描系统手动装载/卸载用于标准注入和热注入，自动25片cassette装载用于标准腔室远程操作控制接触屏（5米链接线缆）辐射低于0.6usv/hourCE认证工艺性能2~210keV束流：4”晶片100keV时，大于900uA(As,P),大于450uA(B)剂量范围：1*1011*1018~at/cm2片内非均匀性：1s<=1%(带有1000埃氧化层的4寸硅，注B，100kev，1*1014at/cm2片间均匀性：1s≤1%)