特性--900nm到1520nm近红外波段高灵敏度--高分辨率：640×512像素--半导体制冷-70℃，暗电流低--真空密封头，无需***--非***性读出特性应用--使用EL或PL进行太阳能电池和面板的检测--通信器件研发--半导体检测--热成像仪型号C10633-34成像设备InGaAs传感器有效像素数640(H)×512(V)像素尺寸20μm(H)×20μm(V)有效面积12.8mm(H)×10.24mm(V)读出速度1.6帧/秒，0.88帧/秒（使用HCImage校正）读出噪声80电子rms***时间自由运行模式和外部控制模式边沿触发下1.305ms（855μs步长），外部控制模式电平触发下750μs制冷方式半导体+水制冷制冷温度-70℃（水温+20℃）暗电流132electron/pixel/s（典型值）外部触发模式边沿触发（***性读出模式）、电平触发（***性读出模式）信号输出RS-422接口RS-232CA/D转换12位镜头卡口C卡口供电AC100V到AC240V,50Hz/60Hz功耗约80W工作温度0℃到+40℃存储温度-10℃到+50℃工作湿度***大70%（无凝结情况下）)