霍尔效应测量系统特点
HallEffectMeas霍尔效应测量系统***的材料研究,产品开发和质量保障.Sampleresistance,resistivity,Hallcoefficient,Hallmobility,carrierconcentrationorcurrent-voltagecharacteristics样品电阻,电阻率,霍尔系数,霍尔迁移率,载流子浓度或电流-电压特性.WindowsOperatingsystemforsystemoperation,dataacquisitionandanalysis.用于系统操作、数据采集和分析的Windows操作系统HallEffectMeas霍尔效应测量系统技术规格HEMSSystemprovidesarangeofmeasurementsonbothvanderPauwandHallbargeometries.ThestandardsystemiscapableofDCfieldmeasurementsandhasaLow,Mid,High&SuperHighresistancerangetocoverfrom1µ?to10T?.HEMS系统提供vanderPauw和Hallbargeometries的一系列测量。标准系统具备进行直流电场测量的能力,并具有可覆盖1μΩ至10TΩ的低、中、高和超高电阻范围。OptionallyACfieldmeasurementcapability,VariableTemperatureaccessories,Turbopumpingsystemsare***ailable.还提供可供选择的交流电场测量功能、可变温度附件及涡轮泵系统。霍尔效应测量系统产品来源:http:///http:///st35872/ml)