YB1109M23-6内置mos锂电供电5V2A高效升压IC概述:YB1109M是YB1109系列产品更成熟和更大电流并且低成本的高性能DC-DC升压芯片,工作电压范围2.5-6V之间,内置了极低内阻仅70豪欧的mos管,利用PFM控制电路,结合外部电感和二极管构成高效大电流的升压应用.内置的MOSFET使用保护电路，在过温过流时保护启动，以防止破坏。本产品结合微型封装和低消耗电流等特点，最适合在移动设备的电源部使用。特点:适用于锂电供电范围：2.5-6V内置5A70毫欧MOS输出电压可调最大8V1.2M工作频率低压锁定保护过温保护1uAEN关断电流23-6小体积封装无铅产品李生：13684993227YB1109MDEMOBOARDTESTREPORT典型应用电路：DEMOPCBA元件配置:L=CD75D=SS34*2Cout=22uf*2Cin=10ufR1=300KR2=40.2K升压效率测试:输出空载电压:5.04V静态电流:<150UA输入电压输入电流〕输出电压输出电流η效率温度(℃)(持续工作5分钟)Vin〔V〕Iin〔mA〕Vout〔V〕Iout〔mA〕%ICMOS电感二极管39145.0350091.72%3.0118705.03100089.36%3.0128905.02150086.56%4947563.0340405.05200082.51%6761723.67525.0350092.90%3.615325.02100091.02%3.6123315.02150089.48%4546553.6231585.02200087.82%5453663.641225.04250084.91%66647946795.0250092.42%4.0113685.03100091.69%4.0120775.02150090.41%3839484.0128005.02200089.42%4445584.0135575.02250087.99%535470其他异常测试：带载启动测试：Vin=3vIout=1.5AOK输出短路测试:短路10秒芯片未损坏短路电流无限制测试条件:室温25-27度以上测试可能根据PCB布局测试方法测试仪器等略有差异故只供参考品应用实测为准.PCB布局建议：1.电感及输出电容、反馈电阻要尽最大可能接近IC各功能引脚，减少线路引起的损耗.2.FB端外接的反馈电阻回路要尽量短，并且FB端电阻回路不要通过PCB过孔连接，以减少回路损耗及干扰，此点对升压效率也有较大影响.3.从IC供电到输出端大电流环路、要尽最大可能加宽加大PCB板铜泊面积,有利于电路热量散发,工作稳定.4.EN端控制IC工作与否，请确定EN端的连接状态.5.电感须使用与之相配的功率电感，根据电路工作电流选择合适的线径尺寸)