XP162A11C0PR一个P沟道功率MOSFET的低导通电阻和超高速开关特性。因为高速的开关是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。栅极保护二极管是内置的，以防止静电损坏。小SOT-89封装，使高密度安装的可能。XP162A11C0PR特点：低导通电阻：***（上）=0.15Ω@VGS=-10V：的***（on）=0.28Ω@VGS=-4.5V超高速开关驱动电压：-4.5V门保护二极管内置P沟道功率MOSFETDMOS结构小封装：SOT-89环保性：符合欧盟RoHS标准，无铅XP162A11C0PR满足我们对设计的要求。这些料号从设计之初就采用工程加设计人员的方式，从实际需求点出发来设计，边测试边创新的方式，既收到了实用的要求又有效的提高的市场的联动机制，彻底打破了之前设计和需求断裂的局面，让苦心设计的产品***终没有达到或者完全市场不接受的尴尬，造成市场渴望的产品没有出现而不需要的产品大量充斥市场的局面，船运到香港的周期也比之前进一步缩段，采用特殊料号特俗安排的方式，优先保证这些型号的要求，从出产品线到下船的周期也极端的减少了中间环节。深圳市泰德兰电子有限公司----日本TOREX(特瑞仕)半导体在中国的***一级代理商。更多详细：0755-83322522更多咨询：2850124282)