品牌：TI德州仪器型号：CSD16321Q5C批号：1402+封装形式：QFP/PFP类型：数字集成电路用途：通信功能：单片机导电类型：双极型封装外形：单列直插式集成度：中规模50~100CSD16321Q5C品牌：TI型号：CSD16321Q5C封装：VSON-8包装：2500年份：1402+数量：750000德州TI大陆***代理商.深圳市亿威盛世股份有限公司联系人：徐波电话：13312991513***:1134043964传真：0755-23932352参数产品分类分离式半导体产品>>FET-单CSD16321Q5CPDF***产品培训模块NexFETMOSFETTechnology视频文件NexFETPowerBlockPowerStack?PackagingTechnologyOverview产品目录绘图CSD164SeriesN-ChannelPkg特色产品DualCool?NexFET?CSD16Q5CMOSFETs标准包装2,500系列NexFET™FET型MOSFETN通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门漏***源极电压(Vdss)25V电流-连续漏极(Id)@25°C100A开态***（***大）@Id,Vgs@25°C2.4毫欧@25A，8VId时的Vgs(th)（***大）1.4V@250µA闸电荷(Qg)@Vgs19nC@4.5V输入电容(Ciss)@Vds3100pF@12.5V功率-***大3.1W安装类型表面贴装封装/外壳8-TDFN***焊盘供应商设备封装8-SON-EP（5x6）包装带卷(TR)产品目录页面1623(CN2011-ZHPDF)其它名称296-25643-2数据列表CSD16321Q5C产品相片8-PowerTDFN产品培训模块NexFETMOSFETTechnology视频文件NexFETPowerBlockPowerStack™PackagingTechnologyOverview设计资源CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH®Designer特色产品DualCool™NexFET™CSD16Q5CMOSFETs制造商产品页CSD16321Q5CSpecificati***标准包装2,500类别分立半导体产品家庭FET-单系列NexFET™包装带卷（TRFET类型MOSFETN通道，金属氧化物FET功能逻辑电平门漏源极电压(Vdss)25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）31A（Ta），100A（Tc）不同Id、Vgs时的***On（***大值）2.4毫欧@25A，8V不同Id时的Vgs(th)（***大值）1.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)19nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)3100pF@12.5V功率-***大值3.1W安装类型表面贴装封装/外壳8-TDFN***焊盘供应商器件封装8-SON-EP（5x6）产品目录页面1623(CN2011-ZHPDF)类别：Semiconductors>>PowerManagementTheNexFET™powerMOSFEThasbeendesignedtominimizelossesinpowerconversionapplicati***andoptimizedfor5Vgatedriveapplicati***.DualCool™PackageSON5×6mmOptimizedforTwoSidedCoolingOptimizedfor5VGateDriveUltralowQgandQgdLowThermalResistance***alancheRatedPbFreeTerminalPlatingRoHSCompliantandHalogenFreeAPPLICATI***Point-of-LoadSynchronous***inNetworking,TelecomandComputingSystemsOptimizedforSynchronousFETApplicati***DualCool,NexFETaretrademarksofTexasInstruments.)