在太阳能电池的制造过程中，常需使用到输送设备来运送太阳能电池芯片。在运送过程中，芯片的两相对边缘通常是架在多数个承载装置上，使芯片底面成悬空状。然而，由于芯片的厚度较薄，烧结时因太阳能电池表面的导电浆料与芯片的膨胀系数不同，导致芯片有弯曲的情形，因此芯片表面的导电浆料会碰触到其下方的承载装置，造成太阳能电池芯片在完成烧结工艺后，有白底断线的缺陷发生，或者，在完成烧结工艺后，因应力释放造成芯片弹跳，导致崩边现象。由此可知，目前所述技术领域仍需要一种改良的输送带结构，以解决上述先前技术的不足与缺点。SYNCHROFLEX提供一种改良的输送同步带结构，用于输送太阳能电池芯片，可避免太阳能电池芯片在完成烧结工艺后发生白底断线缺陷，或者，因应力释放造成芯片弹跳，所导致的崩边现象。根据本实用新型的实施例，提供一种SYNCHROFLEX输送同步带结构，包含有一输送同步带本体，具有一承载面；以及多个承载部件，所述多个承载部件固定并突出于所述承载面，其中各所述承载部件包含一倾斜支撑部，其与所述承载面之间具有一锐角G1，其中所述锐角Q1介于7.5至9.5度之间。在其他实施例中，优选地，所述锐角Θi介于8至9度之间。更优选地，所述锐角Q1S8.5度。根据本实用新型的实施例，所述承载部件还包括一连接部，其一端连接所述承载面，另一端连接所述倾斜支撑部。其中，所述连接部与所述承载面之间具有一锐角θ2，其中锐角92大于锐角Θ!O承载部件还包括一限位部，与所述连接部相对设置，且所述限位部一端连接所述承载面，另一端连接所述倾斜支撑部。为让本实用新型的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合附图，作详细说明如请参考图1，其为依据本实用新型一实施例所绘示的SYNCHROFLEX输送同步带结构侧视图。如图1所示，根据本实用新型一实施例，输送同步带结构I包含有一输送同步带本体10，具有一承载面1a以及一底面10b。在输送同步带本体10的承载面1a上，设置有多个承载部件20，用以承载一太阳能电池芯片100。根据本实用新型一实施例，输送同步带本体10可以是一金属网，但不限于此。输送带本体10具有一厚度t，其中t约为6.5mm左右，但不限于此。根据本实用新型一实施例，所述多个承载部件20是突出于承载面10a，且包括至少一***承载部件20a以及至少一第二承载部件20b，其中，所述***承载部件20a与所述第二承载部件20b是相对设置，用来分别支撑所述太阳能电池芯片100的相对两边缘:一***边缘10a以及一第二边缘100b。多个承载部件20是以金属制成，例如，铜线，且为一体成型，但不限于此，在其他实施例中承载部件20是以合金制成，且承载部件20表面还可依需求设置镀膜层。多个承载部件20是固定于SYNCHROFLEX输送同步带本体10的承载面1a上。多个承载部件20是以焊接方式固定于输送带本体10的承载面1a上，在其他实施例中，承载部件20亦可以卡合方式固定于SYNCHROFLEX输送同步带本体10的承载面1a上，但不限于此。如同前文所述，由于芯片的厚度较薄，烧结时因太阳能电池表面的导电浆料与芯片的膨胀系数不同，导致芯片有弯曲的情形，因此芯片表面的导电浆料会碰触到其下方的承载装置，造成太阳能电池芯片在完成烧结工艺后，有白底断线的缺陷发生，或者，在完成烧结工艺后，因应力释放造成芯片弹跳，导致崩边现象。根据本实用新型一实施例，承载部件20位于承载面1a上的直线长度L约为52mm，高度h约为7mm。承载部件20包括一用来接触并支撑一太阳能电池芯片边缘的倾斜支撑部21，倾斜支撑部21与承载面1a(可视为一水平面)之间具有一锐角Θi，介于7.5至9.5度之间，通过较低的倾斜角可以避免接触点的应力累积，减少应力快速释放时造成芯片弹跳而导致崩边现象，且由于倾斜支撑部21具有前述的倾斜角度，还可以减少烧结时芯片弯曲导致导电浆料碰触倾斜支撑部21的机会，减少断线现象。优选地，所述锐角Q1介于8至9度之间，更佳地，所述锐角ΘiS8.5度。S卩，至少部分设置于承载面的承载部件20a是以倾斜支撑部21相对设置，如图2所示，用以支持太阳能电池芯片100。承载部件20还包括一连接部22，其中，连接部22的一端连接承载面10a，另一端连接倾斜支撑部21。根据本实用新型一实施例，连接部22与承载面1a之间具有一锐角θ2，且θ2大于Θ2。由于烧结时芯片中心的弯曲度较边缘大，因此通过具有较大倾斜角的连接部22，可以进一步减少烧结时因芯片弯曲导致导电浆料碰触连接部22的机会，减少断线现象。根据本实用新型一实施例，承载部件20还可以包括一限位部23，其中，限位部23位于整个承载部件20的***高部位，呈一隆起状，与连接部22相对设置。限位部23的一端连接承载面10a，另一端连接倾斜支撑部21。限位部23是以一角度与倾斜支撑部21连接，可提高芯片被放置于承载部件20之间时的放置精准度，且限位部23具有一高度，如图2所示，限位部23的***高点高于倾斜支撑部21的***高点，因此可以避免芯片在运送过程中的偏移或掉落。)