半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的质量要求也越来越高,特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。这主要是因为抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率,对于线宽为0.35μm的64兆DRAM器件,影响电路的临界颗粒尺寸为0.06μm,抛光片的表面金属杂质沾污应全部小于5×1016at/cm2,抛光片表面大于0.2μm的颗粒数应小于20个/片。在目前的集成电路生产中,由于硅抛光片表面沾污问题,仍有50%以上的材料被损失掉。在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,处理不当,可能使全部硅片报废,做不出管子来,或者制造出来的器件性能低劣,稳定性和可靠性很差。硅片清洗法和,不管是对于从硅片加工的人,还是对于从事半导体器件生产的人来说都有着重要的意义。太阳能光伏行业-硅片检测上料皮带太阳能光伏行业皮带-自动串焊机皮带太阳能光伏行业皮带--高摩擦系数光伏行业皮带--同步带光伏行业皮带光伏行业皮带-硅片弹性输送带光伏行业皮带*草行业烟机皮带-吸风带)