ME8313可以实现高平均效率、可提供线损补偿。可以轻松做到待机100mW内。芯片的主要特点：●全电压输入，恒压精度可控制&plu***n;5%以内；●全电压范围内高精度恒流调节；●原边控制内置MOS芯片；●逐周期电流限制;●VDD低压滞后闭锁(UVLO)；●超低启动电流（典型值1uA）；●带可调线损补偿；●内置短路保护、VDD过压保护；●内置初级绕组电感补偿；●内置反馈回路开路保护；●内置前沿消隐；●采用DIP-8封装；二、各脚的功能以及调试中注意事项：1.VDD供电脚：ME8313的启动电流低至1uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，减小待机功耗。启动阈值电压13.6V关断阈值电压7.6V，OVP电压为30V。建议在调试计算中VCC辅助绕组电压一般设置在20V内，VCC电解推荐为10uF。2.COMP脚：线损补偿脚，外接电容对地，推荐使用范围0.1-1uF，DEMO板上使用的为0.22uF。3.INV反馈电压输入端：INV反馈阈值电压为2V。不管是恒流模式还是恒压模式，都工作在断续模式（DCM）。为了避免进入连续模式（CCM），在每个周期都采样FB端下降沿波形，如果0.1V的下降沿电压没有被探测到，则强制关闭开关管。使之进入断续模式。画PCB时注意尽量远离功率地线。该脚还有线损补偿功能，FB外接电阻大（比例不变），输出补偿多，反之小。4.CS原边电流采样端：CS端是原边电流采样端，峰值电流预检测阈值是580Mv。当MOS管打开时，过冲电流会产生在采样电阻上。为了避免开关误操作，芯片内置了一个前沿消隐LEB时间，人为产生一个500ns的空白期，使得MOS管不会被误操作而关闭。CS脚的峰值电流检测阈值为580mV。这个脚不需要外接电容。5.GND：芯片的电源接地脚，画PCB时注意与功率地分开布线。6.DRAIN脚：ME8313内部集成一个600V/2A的高压功率MOSFET，该脚为内部高压功率MOSFET的漏极，接变压器初级。三、其他的注意事项：1）起动电阻阻值之和推荐是3-6M左右，阻值的大小取决于低压时启动时间和***低启动电压和VCC电解决定。2）初级峰值电流大小是由R6//R12的阻值来设置，均采用1%精度电阻。3）输出电压的大小取决于FB的采样电阻R8,R9来设置，均采用1%精度电阻。R8阻值大，输出电压大，反之小。4）输出假负载可在0.008A电流左右，空载待机可以做到小于100mW。5）电源初次调试启动不良时，首先要检查变压器相位和绕组的计算是否正确，确认无误后检查线路连接是否正确、PCB布线是后正确合理等。6）采样配比情况，当电源出现打嗝时，请检查FB采样配比、VCC触发欠压或过压所致，调整FB电阻值或者变压器匝比即可解决。)