供应SKIIP38NAB12T4V1西门康IGBTIGBT损坏的解决对策1.过电流损坏为了避免IGBT发生擎住效应而损坏，电路设计中应保证IGBT的***大工作电流应不超过IGBT的IDM值，同时注意可适当加大驱动电阻RG延长关断时间，减小IGBT的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，IGBT必须加负偏压，IGBT生产厂家一般推荐加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V之间，漏极电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，所以驱动IGBT必须设计负偏压。由于UPS负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在UPS设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的，可考虑采用IGBT厂家提供的驱动厚膜电路。短路保护方法：首先检测通态压降Vce，如果Vce超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经过4us连续检测通态压降Vce，如果正常，将驱动电压***正常，如果未***，将驱动关闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT,当发生过电流，10us内将IGBT的启动电压减为9V，配合M57160AL驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。2.过电压损坏防止过电压损坏方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感；适当增加IGBT驱动电阻Rg使开关速度减慢（但开关损耗也增加了）；设计缓冲电路，对尖峰电压进行***。用于缓冲电路中的二极管必须是快***的二极管，电容必须是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。3.桥臂共导损坏在UPS中，逆变桥同臂支路两个驱动必须是互锁的，而且应该设置死区时间（即共同不导通时间）。如果发生共导，IGBT会迅速损坏。在控制电路应该考虑到各种运行状况下的驱动问题控制时序问题。4.过热损坏可通过降额使用，加大散热器，涂敷导热胶，强制风扇制冷，设置过温度保护等方法来解决过热损坏的问题。SKIIP38NAB12T4V1、SKIIP20NAC063IT3、SKIIP11NAC063IT3、SKIIP20NAB12T34、SKIIP21NAB12I、SKIIP32NAC12T3、SKIIP30NAC12IT42、SKIIP31NAB12T6、SKIIP20NAB12T17、SKIIP22NAB12T18、SKIIP30NAB12T10、SKIIP20NAB12IT38、SKIIP22NAC12IT5、SKIIP30NAC12IT1、SKIIP31NAC12T2、SKIIP1513GB172、SKIIP1803GB172)