供应西门康模块SKIIP1513GB172-3DLIGBT管在使用过程中，经常受到容性或***负载的冲击，发生过负荷甚至负载短路等，可能导致IGBT管损坏。IGBT管在使用时的损坏原因主要有过电压损坏和静电损坏IGBT管在关断时，由于电路中存在电感成分，关断瞬间将产生尖峰电压。如果尖峰电压超过IGBT管器件的***高峰值电压，将造成IGBT管击穿损坏。IGBT管过电压损坏可分为集电极一栅极过电压、栅极一发射极过电压、高du/dt过电压等。大多数过电压保护电路的设计都比较完善，但是对于由高du/dt所致的过电压故障，在设计中基本上都是采用无感电容或者RCD结构的吸收电路。由于吸收电路设计的吸收容量不够，会造成IGBT管损坏，对此可采用电压钳位，往往在集电极和栅极两端并接齐纳二极管（推荐使用美国Diodes公司的1.5KE××A产品系列），采用栅极电压动态控制方式。当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时，超出的电压将叠加在栅极上（米勒效应起作用），避免了IGBT管因受集电极一发射极过电压而损坏。采用栅极电压动态控制可以解决由于过高的du/dt带来的集电极一发射极瞬间过电压问题，但是它的弊端是：当IGBT管处于***负载运行状态时，关断的IGBT管由于其反并联二极管（续流二极管）的***，其集电极和发射极两端的电压急剧上升，承受很高的瞬间du/dt。在多数情况下该du/dt值要比IGBT管正常关断时的集电极一发射极电压上升率高。由于米勒电容(Cres)的存在，该du/dt值将在集电极和栅极之间产生一个瞬间电流流向栅极驱动电路。该电流与栅极电路的阻抗相互作用，直接导致栅极一发射极电压UGE升高，甚至超过IGBT管的开通门限电压UGEth，出现的恶劣情况就是使IGBT管被误触发导通。1200V-IGBT3(Trench)-SKIIP3SKIIP1213GB123-2DLV31200V----1200ASKIIP1813GB123-3DLV31200V----1800ASKIIP2413GB123-4DLV31200V----2400ASKIIP613GB123-3DULV31200V----600A1200V-IGBT4(Trench)-SKIIP4SKIIP1814GB12E4-3DL1200V----1800ASKIIP1814GB12E4-3DW1200V----1800ASKIIP2414GB12E4-4DL1200V----2400ASKIIP2414GB12E4-4DW1200V----2400ASKIIP3614GB12E4-6DL1200V----3600ASKIIP3614GB12E4-6DW1200V----3600A1700V-IGBT3(Trench)-SKIIP3SKIIP1013GB172-2DLV31700V----1000ASKIIP1203GB172-2DWV31700V----1200ASKIIP1513GB172-3DLV31700V----1500ASKIIP1803GB172-3DWV31700V----1800ASKIIP2013GB172-4DLV31700V----2000ASKIIP2403GB172-4DWV31700V----2400ASKIIP513GB172-3DULV31700V----500ASKIIP603GB172-3DUWV31700V----600A1700V-IGBT4(Trench)-SKIIP4SKIIP1814GB17E4-3DL1700V----1800ASKIIP1814GB17E4-3DW1700V----1800ASKIIP2414GB17E4-4DL1700V----2400ASKIIP2414GB17E4-4DW1700V----2400ASKIIP3614GB17E4-6DL1700V----3600ASKIIP3614GB17E4-6DW1700V----3600A)