MPAIndustrie***致力于镀膜或渗透用CVD化学气相沉积设备的研发与生产MPA研发生产的CVD设备可在真空至常压下工作，温度范围为500to2200°C。反应器可用区域直径在100mm及3000mm之间。MPAindustrie已设计1,5inch至7inch硫化床，用于高温碳应用。多数CVD应用下设备可在10-2mbar至数百个mbar的真空下操作。此技术下设备生长得膜层质量(密度,均匀性)较好，且消耗气体少。传的统CVD在较高温度下，借助气相化学反应沉积薄膜。为满足不同应用对温度要求的需要，可通过等离子***法进***相沉积，等离子化学气相沉积法可用不同工艺实现。直流或脉冲电流等离子体(RTA)无线电频率等离子体(RTA)微波等离子体(RTA)化学气相渗透是通过如碳或碳化硅/碳复合物沉积陶瓷基复合材料的***技术。使用陶瓷材料渗透纤维基底(碳化纤维)或泡沫碳。)