法国AnnealsysAs-One快速热处理RTP系统冷腔室壁快速热处理炉可处理4-inch(100mm)和6-inch(150mm)版本应用RTA(快速热退火)RTO(快速热氧化)扩散,接触式退火化合物半导体退火氮化,硅化,硒化,硫化结晶化及致密化基本参数可处理4-inch和6-inch硅片落地设计，占地面积小高可靠性，低拥有成本不锈钢冷腔室壁技术:高工艺复现性超洁净及无污染环境.高冷却速率，低记忆效应可提供高真空版本(10-6mbar)高温计和热电偶控制快速数字PID温度控制器边缘高温计视口，确保用于化合物半导体和小型样品基片托的温度控制.性能&特点温度范围:室温至1500°C升温速率达200°C/s特殊配置下冷却速率达100°C/s带质量流量控制器的气体混合性能真空范围:常压至10-6Torr)